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精細(xì)陶瓷彎曲強(qiáng)度檢測(cè)儀試驗(yàn)規(guī)程

1、用精度為0.002 mm的千分尺測(cè)量試樣的寬度((b)和厚度(d)。試樣的尺寸測(cè)量可以在測(cè)試前或測(cè)試后。如果試驗(yàn)前測(cè)量試樣尺寸，應(yīng)盡可能在接近中點(diǎn)的地方測(cè)量;如果試驗(yàn)后測(cè)量試樣尺寸，應(yīng)在試樣的斷裂處或接近斷裂處測(cè)量試樣尺寸。應(yīng)小心操作避免測(cè)量時(shí)引人表面損傷。

2、選用合適的三點(diǎn)或四點(diǎn)彎曲夾具進(jìn)行測(cè)試。推薦用四點(diǎn)彎曲。當(dāng)試樣的平行度不符合要求時(shí)，應(yīng)使用全可調(diào)的夾具。

3、在測(cè)試中應(yīng)保證上下輥棒的清潔，保證輥棒沒(méi)有嚴(yán)重的劃痕并能自由的滾動(dòng)。

4、把試樣放在測(cè)試夾具的兩根下輥棒中間，將4 mm寬的那一面接觸輥棒。如果試樣只有兩個(gè)長(zhǎng)邊被倒角，放試樣的時(shí)候應(yīng)確保倒角在受拉面。小心放置試樣避免損傷。試樣兩端應(yīng)伸出支撐輥棒的接觸點(diǎn)大約相等的距離。前后距離誤差小于0.1mm。

5測(cè)試時(shí)，預(yù)壓力不應(yīng)大于強(qiáng)度預(yù)期值的1000。檢查試樣和所有輥棒的線接觸情況以保證一個(gè)連續(xù)的線性載荷。如果加載曲線不是連續(xù)均勻的則卸載，并按要求調(diào)節(jié)夾具以達(dá)到連續(xù)均勻的加載。

6必要的時(shí)候加載過(guò)程中可沿著輥棒畫(huà)線來(lái)對(duì)試樣做標(biāo)記，以確定兩個(gè)加壓輥棒(四點(diǎn)彎曲)或中間的輥棒(三點(diǎn)彎曲)的位置是否變化。同時(shí)也可以判斷斷裂后殘片的受壓面或受拉面。畫(huà)線可使用比較軟的繪圖鉛筆或標(biāo)簽筆。

7、在試樣的周?chē)乓恍┟蕖⒓?、泡沫或其他材料，防止試樣在斷裂時(shí)飛出碎片。這些材料不應(yīng)影響加載結(jié)構(gòu)或夾具調(diào)節(jié)以及輥棒的運(yùn)動(dòng)。

注:上面的做法能避免不必要的二次碎裂，并且能收集第一次斷裂時(shí)的碎片以便斷口分析。

8應(yīng)在測(cè)試夾具周?chē)疟Ｗo(hù)屏防止斷裂碎片飛濺。

9精細(xì)陶瓷材料彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)橫梁的速率應(yīng)為0.5mm/min

10使用 9中的橫梁速率，假設(shè)試驗(yàn)夾具是剛性的，那么斷裂的時(shí)間通常應(yīng)在3s到30s

11、對(duì)于時(shí)間因素的影響，例如慢裂紋擴(kuò)展或環(huán)境侵蝕(來(lái)自實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中的水蒸氣)，即使是在很短的測(cè)試時(shí)間內(nèi)對(duì)某些材料的彎曲強(qiáng)度也有很大的影響。為了消除或減少環(huán)境因素的影響，可以選擇下列方法:在試驗(yàn)夾具的表面增加一個(gè)環(huán)境隔離層(例如干凈的聚乙烯薄膜);試驗(yàn)前用氮?dú)鉀_洗試樣;在流動(dòng)的干燥氮?dú)庵羞M(jìn)行試驗(yàn);或者在試樣的敏感面上覆蓋一層石蠟(比較好在}7a℃左右處理1 h-2 h),然后在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中進(jìn)行測(cè)試。但是石蠟涂層會(huì)影響隨后的裂紋現(xiàn)象的觀察分析。

12確保試驗(yàn)載荷的均勻性，并記錄試樣斷裂時(shí)的比較大載荷。記錄載荷的精度在士1%或更高。

13清理碎片并準(zhǔn)備試驗(yàn)分析。

注:只有少數(shù)碎片需要保留。很小的碎片通常不需要，因?yàn)樗鼈兪嵌嗡榱训慕Y(jié)果，不包含原始斷裂的信息。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)不難確定哪些碎片是很重要的并應(yīng)被保留下來(lái)·附錄C可以作為進(jìn)一步的參考。在試驗(yàn)后應(yīng)用鑷子收拾碎片，或戴著手套以避免引入污染物影響隨后的裂紋顯微觀察分析。

1 4如果斷裂是發(fā)生在四點(diǎn)彎曲中的橫梁內(nèi)側(cè)，那么先觀察斷裂起始點(diǎn)作為初步的觀察。試樣的斷裂也可能發(fā)生在橫梁的外側(cè)或者在一個(gè)內(nèi)側(cè)加載點(diǎn)上。這些現(xiàn)象應(yīng)包含在試驗(yàn)設(shè)定范圍內(nèi)?？梢缘玫礁嗟年P(guān)于彎曲試樣的斷裂示例的解釋。

注1:附錄C是一個(gè)對(duì)于斷裂源尺寸和位置以及強(qiáng)度離散性的一般推理。即斷裂源處在內(nèi)跨距之外的情況通常發(fā)

生在強(qiáng)度離散性比較高的材料，這會(huì)導(dǎo)致較低的Weibutl模數(shù)。

如果有很多的斷裂發(fā)生在內(nèi)跨距之外，或者很多斷裂直接發(fā)生在四點(diǎn)彎曲加載處，有可能測(cè)試儀器沒(méi)有調(diào)試好。應(yīng)停止測(cè)試，把問(wèn)題解決后再繼續(xù)。

注2;多重碎裂對(duì)于高強(qiáng)度陶瓷來(lái)說(shuō)很常見(jiàn)。在大多數(shù)情況下，二次碎裂會(huì)直接發(fā)生在一個(gè)加載壓頭處。這是正常的，而且得到的強(qiáng)度結(jié)果可能會(huì)非常高。

15試驗(yàn)過(guò)程中應(yīng)測(cè)量記錄實(shí)驗(yàn)室濕度和溫度。